Sample Structure

こちらが、私達の測定しているリッジ型量子細線の試料です。

分子線エピタキシー法のファセット成長を利用することで、ごらんのように先のとがった山の尾根状の構造を作成することができます。

その断面を見ていただきますと、ちょうどAlGaAs(Al=0.20)のバリア層に挟まれる形でポテンシャルの低いGaAsの薄膜層が積層され、量子構造が形成されています。

量子構造といたしましては、リッジの斜面に２次元の量子井戸に相当する"Side-QW"が、そして二つのSide-QWの交線にあたる部分で電子の閉じ込めがゆるくなり１次元の量子細線("QWR")構造が形成されています。

なお、さらに私たちは屈折率の異なるAlGaAs(Al=0.40)で構造を挟み込むことで、導波路構造を形成させています。

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