Sample Structure

こちらが、私達の測定しているリッジ型量子細線構造です。

４ミクロンピッチ、２ミクロン幅の Line-and-Spaceパターン基板上に分子線エピタキシー法を用いて結晶成長いたしますと、ごらんのように先のとがった山の尾根状の構造を作成することができます。この構造のこと「リッジ型」と呼んでいます。

その断面を見ていただきますと、ちょうどAlGaAs(Al=0.20)のバリア層に挟まれる形でポテンシャルの低いGaAsの薄膜層が積層されています。このリッジの先端の部分におきましては、キャリアは y,zの二次元方向に閉じ込めをうけ、この図と垂直方向のx方向にのみ動くことができます。こうして、一次元の量子細線構造が形成されています。

なおリッジの斜面に部分には、一方向のみに閉じ込めをうけた量子井戸、"Side-QW"が、形成されています。

さらに私たちは屈折率の異なるAlGaAs(Al=0.40)で構造を挟み込むことで、導波路構造を形成させ、 300ミクロンの長さでへき開を行なうことでレーザー共振器を形成しています。

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